westerndigital旗下hgst1日宣布,已通過將融合self-assemblingmolecules(分子自組裝)和nanoimprinting(納米印刷)技術,成功創造出大面積高密度存儲介質,其magneticislands磁島寬度只有10nm,是目前硬盤技術的兩倍,可望于未來數年內大幅提高機械硬盤的存儲密度,讓單碟容量可望提升。
據hgst表示,新技術能夠讓magneticislands磁島寬度只相當于大約50個原子寬,或者人類頭發絲的十萬分之一。其中,自組裝分子使用的雜化聚合物,為互相排斥的段組成的嵌段共聚物,表面上作為薄膜涂層,聚合物鏈段的大小決定的行間距,結合轉換為模板的納米壓印,將納米尺度模式到一個芯片或磁盤基板的模式,令magneticislands磁島寬度只有10nm。
hgst還提供了路線圖,指出如何經濟有效地提遠遠升磁島密度,無需使用任何傳統的光刻技術便可令硬盤尺寸更小。目前hgst實驗室已測試出其出色的讀寫速度和數據保存能力,擴展到整個硬盤之后,將可望達到超過一萬億個磁島,進而降低晶格介質(bit-patternedmedia)的成本,并可望于未來數年內大幅度提高機械硬盤的存儲密度。
此外,據hgstresearch副總裁curriemunce表示,新興的自組裝分子和納米壓印技術將產生巨大的影響,使納米制造成為一個成本效益的方式,并增加在磁性硬盤驅動器上的數據密度。
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